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电子元器件 晶体三极管的噪声来源: 晶体三极管的噪声主要有四个来源：热噪声：晶体三极管的热噪声主要是基区电阻rbb’产生的热噪声。散弹噪声：由于单位时间内通过PN结的载流子数目随机起伏，使流过PN结的电流在平均值上下作不规则的起伏变化而形成的噪声...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：41 | 作者：admin

电子元器件 电阻基本知识: 元器件族系Component Family
电子元件 Electronic component
被动元件 Passive component
主动元件 Active component
电磁元件 Electromagnetic component
机电元件 Electromechanical c...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：43 | 作者：admin

电子元器件 电阻种类和特点: 按用途不同分为：
通用电阻：功率0.1-10w，阻值10Ω-10MΩ,电压＜1KV
精密电阻:精度0.1％-2 ％，箔式电阻0.005％
高频电阻：电感电容小，用于无线电电路
功率电阻：功率小于300w，阻值较小
敏感电阻：热敏电阻、光...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：35 | 作者：admin

电子元器件 电阻规格与参数: 1.电阻值：不仅要了解生产厂家给出的电阻器的标准电阻值，还应了解工作温度，过电压及使用环境均能使阻值漂移。对于不同结构、不同工艺水平的电阻器，电阻值的精度及漂移值都会不同。
2.额定功率：在正常的大气压力...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：32 | 作者：admin

电子元器件 电阻器阻值标示方法: 1、直标法：用数字和单位符号在电阻器表面标出阻值，其允许误差直接用百分数表示，若电阻上未注偏差，则均为±20%。
2、文字符号法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，其允许偏差也用文字符号...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：39 | 作者：admin

电子元器件 电阻器的应用: 一个实际的电阻器，在低频时主要表现为电阻特性，但在高频使用时不仅表现有电阻特性的一面，而且还表现有电抗特性的一面，即同一个电阻元件在通以直流和交流电时测得的电阻值是不相同的。在高频交流下，须考虑电阻元件...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：33 | 作者：admin

电子元器件 半导体是什么?半导体有什么用？: 半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强(可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 (可做成各种光敏元件，...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：83 | 作者：admin

电子元器件 三极管输出特性曲线: 输出特性曲线是指当基极电流 IB 为常数时，输出电路(集电极电路)中集电极电流 IC 与集―射极电压 UCE 之间的关系曲线 IC = f (UCE)。在不同的 IB下，可得出不同的曲线，所以晶体管的输出特性曲线是一组曲线。晶体管...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：338 | 作者：admin

电子元器件 三极管的基本结构和特点: 放大原理：把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化。三极管放大的外部条件：发射结正偏、集电结反偏...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：321 | 作者：admin

电子元器件 晶体三极管的三种工作状态: 晶体三极管的三种工作状态如下图所示三种组态双极型三极管有三个电极，其中两个可以作为输入, 两个可以作为输出，这样必然有一个电极是公共电极。三种接法也称三种组态，见下图共发射极接法，发射极作为...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：272 | 作者：admin

电子元器件 晶体三极管的主要参数: 1.电流放大系数当晶体管接成共发射极电路时，在静态(无输入信号)时集电极电流与基极电流的比值称为静态电流(直流)放大系数晶体管工作在动态(有输入信号)时，基极电流的变化量为△IB ，它引起集电极电流...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：43 | 作者：admin

电子元器件 功率二极管的伏安特性: 二极管具有单向导电能力，二极管正向导电时必须克服一定的门坎电压Uth(又称死区电压)，当外加电压小于门坎电压时，正向电流几乎为零。硅二极管的门坎电压约为0.5V，当外加电压大于Uth后，电流会迅速上升。当外加反向电...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：27 | 作者：admin

电子元器件 晶闸管的基本特性: 1、静态特性（1）正向特性 IG=0时，器件两端施加正向电压，只有很小的正向漏电流，为正向阻断状态。正向电压超过正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通。随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。晶闸管本...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：20 | 作者：admin

电子元器件 功率二极管的基本特性: 关断过程：须经过一段短暂的时间才能重新获得反向阻断能力，进入截止状态。关断之前有较大的反向电流出现，并伴随有明显的反向电压过冲。开通过程：正向压降先出现一个过冲UFP，经过一段时间才趋于接近稳态压降的某...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：28 | 作者：admin

电子元器件 可关断晶闸管的工作原理: 与普通晶闸管的相同点：PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极。和普通晶闸管的不同点：GTO是一种多元的功率集成器件。可关断晶闸管的工作原理由于GTO处于临界饱和状态，用抽走阳极电流的方法...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：45 | 作者：admin

电子元器件 晶闸管的门极驱动电路和缓冲电路: 1、晶闸管对触发电路的基本要求 ①触发信号可以是交流、直流或脉冲，为了减小门极的损耗，触发信号常采用脉冲形式。 ②触发脉冲应有足够的功率。触发电压和触发电流应大于晶闸管的门极触发电压和门极触发...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：45 | 作者：admin

电子元器件 可关断晶闸管主要参数: GTO有许多参数与晶闸管相同，这里只介绍一些与晶闸管不同的参数。 (1) 最大可关断阳极电流IATO 电流过大时α1+α2稍大于1的条件可能被破坏，使器件饱和程度加深，导致门极关断失败。 (2) 关断增益off G...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：23 | 作者：admin

电子元器件 电力晶体管工作原理: 电力晶体管GTR （Giant Transistor）直译为巨型晶体管）耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor――BJT），英文有时候也称为Power BJT，在电力电子技术的范围内，GTR与BJT这两个名称等效。与普通...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：43 | 作者：admin

电子元器件 可关断晶闸管主要参数: GTO有许多参数与晶闸管相同，这里只介绍一些与晶闸管不同的参数。 (1) 最大可关断阳极电流IATO 电流过大时α1+α2稍大于1的条件可能被破坏，使器件饱和程度加深，导致门极关断失败。 (2) 关断增益off G...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：38 | 作者：admin

电子元器件 电力晶体管的二次击穿及产生二次击穿的原因: 电力晶体管的二次击穿 (1) PN结的反向击穿 PN结的反向击穿，可分为三种类型：热电击穿、隧道击穿和雪崩击穿。 ① 热电击穿当外加反向电压升高时，较大的反向电流引起热损耗，导致器件的结温升高，促使本...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：40 | 作者：admin

电子元器件 电力晶体管GTR的开关特性: 晶体管有线性和开关两种工作方式。当只需要导通和关断作用时采用开关工作方式。GTR主要应用于开关工作方。 ① 开关响应特性开关工作方式下，用一定的正向基极电流IB1去驱动GTR导通，而用另一反向基极电流...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：27 | 作者：admin

电子元器件 电力晶体管的驱动电路和缓冲电路: GTR的驱动电路的重要性驱动电路性能不好，轻则使GTR不能正常工作，重则导致GTR损坏。其特性是决定电流上升率和动态饱和压降大小的重要因素之一。增加基极驱动电流使电流上升率增大，使GTR饱和压降降低，从而减小...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：43 | 作者：admin

电子元器件 功率MOSFET的转移特性: 转移特性表示功率MOSFET的输入栅源电压UGS与输出漏极电流ID之间的关系。转移特性表示功率MOSFET的放大能力，与GTR中的电流增益相仿，由于功率MOSFET是电压控制器件，因此用跨导这一参数来表示。跨导定义:...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：45 | 作者：admin

电子元器件 功率MOSFET的开关特性: 因为MOSFET存在输入电容Ci， Ci有充电过程，栅极电压UGS呈指数曲线上升,当UGS上升到开启电压UT时，开始出现漏极电流iD，从脉冲电压的前沿到iD出现，这段时间称为开通延迟时间td。随着UGS增加，iD上升，从有iD到iD达到稳...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：30 | 作者：admin

电子元器件 功率MOSFET的开关特性: 当脉冲电压下降到零时，栅极输入电容Ci通过信号源内阻RS和栅极电阻RG开始放电，栅极电压UGS按指数曲线下降，当下降到UGSP时，漏极电流才开始减小，这段时间称为关断延迟时间ts。之后，Ci 继续放电，从iD减小，到UGS＜UT沟道关...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：36 | 作者：admin

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