2017-02-03 15:27:27 | 人围观 | 评论:
图1:串联电感抑制回路
2.电压上升率dv/dt的抑制
加在晶闸管上的正向电压上升率dv/dt也应有所限制,如果dv/dt过大,由于晶闸管结电容的存在而产生较大的位移电流,该电流可以实际上起到触发电流的作用,使晶闸管正向阻断能力下降,严重时引起晶闸管误导通。
为抑制dv/dt的作用,可以在晶闸管两端并联R―C阻容吸收回路。如下图:
图2:并联R―C阻容吸收回路
晶闸管过压过流保护主要就是以上这些电路图,做好以上这些保护电路,设备的故障率会很大降低.
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