1．结构<?xml:namespace prefix = o ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:office" />IGBT的基本结构如图1a）所示，与P-MOSFET结构十分相似，相当于一个用MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。仔细观察发现其内部实际上包含...
1年前 (2016-12-21) 2℃ 暂无评论 0喜欢
1．静态特性<?xml:namespace prefix = o ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:office" />IGBT的静态特性主要有输出特性及转移特性，如图1所示。输出特性表达了集电极电流IC与集电极―发射极间电压UCE之间的关系，...
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1．擎住效应<?xml:namespace prefix = o ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:office" />如前所述，在IGBT管内存在一个由两个晶体管构成的寄生晶闸管，同时P基区内存在一个体区电阻Rbr，跨接在N+PN晶体管的基极与发...
1年前 (2016-12-21) 1℃ 暂无评论 0喜欢
静电感应晶体管（SIT）和静电感应晶闸管（SITH）是两种结构与原理有许多相似之处的新型高频大功率电力电子器件，是利用静电感应原理控制工作电流的功率开关器件。SIT和SITH具有功耗低，开关速度高，输入阻抗高，可用栅压控制开关...
1年前 (2016-12-21) 1℃ 暂无评论 0喜欢
1．MOS控制晶闸管（MCT）MOS控制晶闸管（MCT）的静态特性与晶闸管相似，由于它的输入端由MOS管控制，MCT属场控型器件,其开关速度快，驱动电路比GTO的驱动电路要简单；MCT的输出端为晶闸管结构，其通态压降较低，与SCR相当，比IGBT和GTR都...
1年前 (2016-12-21) 1℃ 暂无评论 0喜欢
晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有...
1年前 (2016-12-17) 4℃ 暂无评论 1喜欢
常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，如图对于小功率金属封装三极管，按图示底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e、b、c；对于中小功率塑料三...
1年前 (2016-12-17) 4℃ 暂无评论 1喜欢
1.单向可控硅的检测万用表选用电阻R×1档，用红黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑笔接的引脚为控制极G，红笔接的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的...
1年前 (2016-12-17) 3℃ 暂无评论 1喜欢
普通可控硅最基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。如果把二极管换成可控硅，就可以构成可控整流电路。一个最简单的单相半波可控整流电路。在正弦交流电压U2的正半周期间，如...
1年前 (2016-12-17) 3℃ 暂无评论 1喜欢
动手准备元器件之前，最好对照电路原理图列出所需元器件的清单。为了保证在试制的过程中不浪费时间，减少差错，同时也保证制成后的装置能长期稳定地工作，待所有元器件都备齐后，还必须对其筛选检测。 在正规的工业化...
1年前 (2016-12-17) 4℃ 暂无评论 1喜欢
在维修制作过程中，焊接工作是必不可少的。它不但要求将元件固定在电路板上，而且要求焊点必须牢固、圆滑，所以焊接技术的好坏直接影响到电子制作的成功与否，因此焊接技术是每一个电子制作爱好者必须掌握的基本功，现...
1年前 (2016-12-17) 3℃ 暂无评论 1喜欢
1、用眼药水瓶吹锡拔除多脚元件 取一只用完了的塑料眼药水瓶，将它洗净待用。用电烙铁将元件脚上的锡烫化，边烫边用眼药水瓶对准吹气，烫化了的锡珠便掉了下来。2、用活动铅笔拔除多脚元件 找0.7或0.9活动铅笔一支...
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（1）不能制作大容量的电容器，电路结构只能采用直接耦合方式。（2）集成运放的偏置电流通常较小，以降低电路的功耗。（3）为了克服直接耦合电路的温漂，采用差动放大电路。（4）大量采用晶体管或场效应管构成恒流源，代替大电阻。（5） 采用...
1年前 (2016-12-17) 3℃ 暂无评论 1喜欢
以NPN管组成的放大电路为例，首先应保证晶体三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，如图所示。图中基极偏置电路为VCC→RB→基极→发射极→地，使NPN管的发射结处于正向偏置，应选择RB电阻的大小，以产生一定的基极电流IB，...
1年前 (2016-12-17) 4℃ 暂无评论 1喜欢
晶体三极管由N-P-N（或P-N-P）三个区组成，从而形成两个PN结，如图所示。图1 NPN型晶体三极管的结构简图以及电路符号 为实现电流放大作用，在结构上要求集电区N的面积最大，且多子―电子的浓度最低；发射区N的面积次之，...
1年前 (2016-12-17) 7℃ 暂无评论 1喜欢
晶体三极管和场效应管的饱和区是两种完全不同的工作状态，只是共同沿用了“饱和区”的名词，同学们在学习这两种半导体器件时千万不能混淆。 晶体三极管和场效应管的饱和区是两种完全不同的工作状态，只是共同沿...
1年前 (2016-12-17) 3℃ 暂无评论 1喜欢
在放大电路中，只有晶体管工作在放大区，场效应管工作在恒流区时，电路才能正常放大。在数字电路中，晶体管和场效应管多工作在开关状态，即晶体管不是工作在饱和区就是工作在截止区，场效应管不是工作在可变电阻区就是工作在...
1年前 (2016-12-17) 3℃ 暂无评论 1喜欢
一、我国集成电路型号命名方法<?xml:namespace prefix = o ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:office" />国标GB3430-89标准规定了半导体集成电路型号的命名由五个部分组成，其五个组成部分的符号及意义见表1...
1年前 (2016-12-17) 3℃ 暂无评论 1喜欢
二极管由一个PN结，加相应的电极引线和管壳封装而成。空心三角形箭头表示实际电流方向：电流从P流向N。实际结构...
1年前 (2016-12-17) 3℃ 暂无评论 1喜欢
半导体的导电特性：导电性能介于导体(如铜、铁等)与绝缘体(如石头、木头)之间，主要有：Si(硅)Ge(锗)GaAs(砷化镓)。绝缘体：，半导体：。 影响半导体的导电性能： 温度、纯度。1. 本征半导体半导体材料高度提纯后的半导体称为...
1年前 (2016-12-17) 3℃ 暂无评论 1喜欢
1. 伏安特性正向特性：OA：死区；开启电压：Vth；AB：近似指数规律；BC：近似恒压源；导通电压为Von，二极管正向导电路时，通常要工作在这个区-线性区。在理想条件下，二极管两端电压和电流关系为：，其中，IS：反向饱和电流，VT：电压的温度当量，室温...
1年前 (2016-12-17) 3℃ 暂无评论 1喜欢
整流电路：半波整流：，反向峰值电压：全波整流电路： ，，限幅电路： 低电压稳压电路：当由于某种原因(如电网波动、负载变化)引起VI变化时，VO也将变化。分析VO的变化情况需要用微变等效电路。...
1年前 (2016-12-17) 3℃ 暂无评论 1喜欢
半导体三极管又称为晶体管、三极管、双极型晶体管、BJT 。它由2个背靠背的PN结组成，分为 NPN型、PNP型。由制造的材料又分为硅三极管、锗三极管。NPN型三极管：c：collector 集电极；b：base 基极；e：emitter 发射极采用平面...
1年前 (2016-12-17) 3℃ 暂无评论 1喜欢
一、用作放大器第一步:进行静态分析，求静态工作点； 第二步:动态分析，求放大倍数等动态值；下面用作图法进行分析：静态分析（Vi＝0时）求。方法：写出输入回路负载方程，将方程作在输入特性曲线上，求得：，写出输出回路负载方程并将它...
1年前 (2016-12-17) 3℃ 暂无评论 1喜欢
一、多集电极管多集电极管可认为是由多个PNP管的基极、射极并联而成，而且它们的集电极电流之比约等于各集电区面积之比。多集电极管构成镜像电流源：若两管特性相同，则iB与iC为镜像电流关系。在数字电路中，利用多集电...
1年前 (2016-12-17) 3℃ 暂无评论 1喜欢
