你的位置: 首页 > 家电弱电 > 电子元器件

绝缘栅双极型晶体管工作特性

2016-12-21 17:00:03 | 人围观 | 评论:

1.静态特性<?xml:namespace prefix = o ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:office" />

IGBT的静态特性主要有输出特性及转移特性,如图1所示。输出特性表达了集电极电流IC与集电极发射极间电压UCE之间的关系,分饱和区、放大区及击穿区。

IGBT的转移特性表示了栅极电压UG对集电极电流IC的控制关系。在大部分范围内,ICUG呈线性关系。

        

      a 输出特性                                                                 b 转移特性

1  IGBT的输出特性和转移特性

2.动态特性

IGBT的动态特性即开关特性,如图2所示,其开通过程主要由其MOSFET结构决定。当栅极电压UG达开启电压UGth后,集电极电流IC迅速增长,其中栅极电压从负偏置值增大至开启电压所需时间tdon为开通延迟时间;集电极电流由10%额定增长至90%额定所需时间为电流上升时间tri,故总的开通时间为tontdontri

IGBT的关断过程较为复杂,其中UG由正常15V降至开启电压UT所需时间为关断延迟时间tdoff,自此IC开始衰减。集电极电流由90%额定值下降至10%额定所需时间为下降时间tfitfi1tfi2,其中tfi1对应器件中MOSFET部分的关断过程,tfi2对应器件中PNP晶体管中存贮电荷的消失过程。由于经tfi1时间后MOSFET结构已关断,IGBT又未承受反压,器件内存贮电荷难以被迅速消除,所以集电极电流需较长时间下降,形成电流拖尾现象。由于此时集射极电压Uce已建立,电流的过长拖尾将形成较大功耗使结温升高。总的关断时间则为tofftdofftfi

2  IGBT的开关特性





标签: