你的位置: 首页 > 家电弱电 > 电子元器件

功率场效应晶体管的主要参数

2016-12-14 13:05:15 | 人围观 | 评论:

   (1) 漏源击穿电压UDS:决定了功率MOSFET的最高工作电压。
    (2) 栅源击穿电压UGS :表征功率MOSFET栅源之间能承受的最高电压。该参数很重要:因为人体常常带有高压静电,所以在接触MOS型器件,包括电力MOSFET、普通MOSFET、MOS型集成电路时,可以先用手接触一下接地的导体,将身体的静电放掉,否则容易将GS间的绝缘层击穿。另外,在用烙铁焊MOS型器件时,应将烙铁加热后,拔下电源插座,再焊器件。
    (3) 漏极最大电流ID:表征功率MOSFET的电流容量。一般厂家给定的漏极直流(额定)电流ID 是外壳温度为25度时的值,所以要考虑裕量,一般为3-5倍。
    (4) 开启电压UT:又称阈值电压,指功率MOSFET流过一定量的漏极电流时的最小栅源电压。
    (5) 通态电阻Ron:通态电阻Ron是指在确定栅源电压UGS下,功率MOSFET处于恒流区时的直流电阻,是影响最大输出功率的重要参数。
    (6) 极间电容:功率MOSFET的极间电容是影响其开关速度的主要因素。其极间电容分为两类;一类为CGS和CGD,它们由MOS结构的绝缘层形成的,其电容量的大小由栅极的几何形状和绝缘层的厚度决定;另一类是CDS,它由PN结构成,其数值大小由沟道面积和有关结的反偏程度决定。
    一般生产厂家提供的是漏源短路时的输入电容Ci、共源极输出电容Cout及反馈电容Cf,它们与各极间电容关系表达式为
        Ci=CGS+CGD Cout=CDS+CGD Cf=CGD
    显然,CiCout和Cf均与漏源电容CGD有关。




标签: