场效应管

2016-10-30 15:05:53 | 人围观 | 评论:

场效应晶体管：英文名称为Field Effect Transistor，缩写为FET，简称场效应管。
各类场效应管根据其沟道所采用的半导体材料，可分为N型沟道和P型沟道两种。所谓沟道，就是电流通道。
半导体的场效应，是在半导体表面的垂直方向上加一电场时，电子和空穴在表面电场作用下发生运动，半导体表面载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受到电场的作用而改变，即改变为加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多数载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。

　　场效应管属于电压控制元件，这一点类似于电子管的三极管，但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的，与双极型晶体管相比，场效应晶体管具有如下特点：
（1）输入阻抗高；
（2）输入功耗小；
（3）温度稳定性好；
（4）信号放大稳定性好，信号失真小；
（5）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
根据构造和工艺的不同，场效应管分为结型和绝缘型两大类。

　　结型场效应管
　　图十一(a)是结型场效应管的结构示意图。
　　图十一(b)是N型导电沟道结型场效应管的电路符号。

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