如何从晶体管的物理模型得到简化的高频小信号模型？
2016-12-14 12:28:02 | 人围观 | 评论:
晶体管有两个PN结：发射结和集电结，当工作频率很高时，结电容不能忽略，每个PN结都可以用一个结电阻和结电容并联来等效。按照晶体管的实际结构，考虑发射结和集电结电容后，可得如图1(a)所示的模型，常称为晶体管的物理模型。
物理模型中，
、
分别为集电区和发射区的体电阻，它们的数值很小，实际上可忽略不计。
为集电结的反偏电阻，
为三极管动态输出电阻，它们通常数值较大，可当作开路。于是可得到如图1 (b)所示的简化混合π模型。
简化混合π模型中，集电结电容
横跨在输入和输出两个回路之间，使电路分析很不方便。为此，可通过密勒定理将折合到输入回路的等效电容
和输出回路中的等效电容
，如图1(c)所示。设
（
近似为中频时的电压放大倍数），可知，为负值，且
。由密勒定理可得
由于输出回路中的等效电容容量很小，它与后面的负载所形成的时间常数也很小，工程计算时常常可忽略。因此简化后的高频小信号模型如1 (d)所示，图中
。
图1 三极管的高频小信号模型
(a) 物理模型 (b) 简化混合π模型 (c) 单向化处理 (d) 简化模型
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