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ROM的分类

2016-12-17 18:18:35 | 人围观 | 评论:

只读型存储器(ROM)是存储器中结构最简单的一种,它存储的信息是固定不变的。工作时,只能读出信息,不能随时写入信息,所以称为只读存储器。只读存储器常用于存储数字系统及计算机中不需改写的数据,如数据转换表及计算机操作系统程序等。ROM存储的数据不会因断电而消失,即具有非易失性。

ROM一般需要由专用装置写入数据。按数据写入方式特点不同,ROM可分为以下几种。

(1)固定ROM。也称掩膜ROM,这种ROM在制造时,厂家利用掩膜技术直接把数据写入存储器中,ROM制成后,其存储的数据也就固定不变了,用户对这类芯片无法进行任何修改。

(2)一次性可编程ROM(PROM)。PROM在出厂时,存储内容全为1(或全为0),用户可根据自己的需要,利用编程器将某些单元改为0(或)1。PROM一旦进行了编程,就不能再修改了。

(3)光可擦出可编程ROM(EPROM)。EPROM是采用浮栅技术产生的可编程存储器,它的存储单元可多采用N沟道叠栅MOS管,信息的存储是通过MOS管上的电荷分布来决定的,编程过程就是一个电荷注入的过程。编程结束后,尽管撤出了电源,但是,由于绝缘层的包围,注入到浮栅上的电荷无法泄露,因此电荷分布维持不变,EPROM也就成为非易失性存储器件了。

当外部能源(如紫外线光源)加到EPROM上时,EPROM内部的电荷分布才会被破坏,此时聚集在MOS管浮栅上的电荷在紫外线照射下形成光电流被泄露掉,使电路恢复到初始状态,从而擦出了所有写入的信息。这样EPROM又可以写入新的信息。

(4)电可擦除可编程ROM(E2PROM)。E2PROM也是采用浮栅技术生产的可编程ROM,但是构成其存储单元的是隧道MOS管,隧道MOS管也是利用浮栅是否存有电荷来存储二值数据的,不同的是隧道MOS管是用电擦除的,并且擦除的速度要快得多(一般为ms数量级)。

E2PROM的电擦除过程就是改写过程。它具有ROM的非易失性,又具备类似RAM的功能,可以随时改写(可重复擦写1万次以上)。目前大多数E2PROM芯片内部都备有升压电路。因此,只需提供单电源供电,便可进行读、擦除/写操作,这为数字系统的设计和在线调试提供了极大方便。

(5)快闪存储器(flash memory)。快闪存储器的存储单元也是采用浮栅型MOS管,存储器中数据的擦除和写入时分开进行的,数据写入方式与EPROM相同,需要输入一个较高的电压,因此要为芯片提供两组电源。一个字的写入时间约为200μs,一般一只芯片可以擦除/写入100万次以上。





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