电子元器件-维修电工知识

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电子元器件 晶体管和晶闸管的区别: 晶体管有两类型，NPN的和PNP的，可以用来放大电信号，可以用来做电子开关；晶闸管呢也可以用来做电子开关，但不能用来放大信号，它用来做开关比晶体管好，因为它的导通电阻比晶体管的低，能通大电流；另外它和晶体管的另外一个不...

发布时间：2017-01-06 | 评论：0 | 浏览：114 | 作者：admin

电子元器件 晶体管和三极管的区别: 所谓晶体管是指用硅和锗材料做成的半导体元器件，研制人员在为这种器件命名时，想到它的电阻变换特性，于是取名为trans-resister(转换电阻)，后来缩写为transistor，中文译名就是晶体管。严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导...

发布时间：2017-01-06 | 评论：0 | 浏览：113 | 作者：admin

电子元器件 三极管的开关特性: 1．双极型三极管的开关特性:当ui≤0时， uBE≤0，三极管工作在截止区，其工作特点是基极电流 iB≈0，集电极电流 ic=IcE≈0，因此三极管的集 -射极之间相当于一个断开的开关。这时的输出电压为 uo=UoH≈ Vcc。图1　双极型三极...

发布时间：2017-01-06 | 评论：0 | 浏览：107 | 作者：admin

电子元器件 半导体三极管的参数: 半导体三极管的参数分为直流参数、交流参数和极限参数三大类。 1.共发射极直流电流放大系数＝（IC－ICEO）/IB ≈ IC / IB|vCE＝const 在放大区基本不变。在共发射极输出特性曲线上，通过垂直于X轴的...

发布时间：2017-01-06 | 评论：0 | 浏览：78 | 作者：admin

电子元器件 双极型和场效应型三极管的比较: 极型三极管场效应三极管结构NPN型PNP型 C、E一般不可倒置使用结型耗尽型 N沟道 P沟道绝缘栅增强型 N沟道 P沟道绝缘栅耗尽型 N沟道 P沟道 D、S一般可倒置使用载流子多子扩散、少子漂移多子漂移输入量电流输...

发布时间：2017-01-06 | 评论：0 | 浏览：101 | 作者：admin

电子元器件 晶体管的电流分配问题和放大作用: 晶体管放大作用必须满足的条件:内部条件: 晶体管结构上的特点外部条件: 晶体管的发射结加正向电压,集电结加反向电压。P区接正,N区接负; N区接正,P区接负。（一）晶体管内部载流子的运动1.发射区向基区注入电子的过...

发布时间：2016-12-30 | 评论：0 | 浏览：113 | 作者：admin

电子元器件 绝缘栅场效应管: 绝缘栅场效应管是一种金属―氧化物―半导体场效应管，简称MOS管。 MOS管按工作方式分类: 增强型MOS管:N 沟道, P沟道耗尽型MOS管:N 沟道, P沟道（一）N沟道增强型MOS管的结构和工作原理 1.结构和符...

发布时间：2016-12-30 | 评论：0 | 浏览：88 | 作者：admin

电子元器件 结型场效应管: 当uGS=0时，就有导电沟道存在，故而这种管子也属于耗尽型场效应管。 N沟道结型场效应管：两个P+区中间的N型半导体，在加上正向uDS电压时就有电流流过，故称为N沟道。（一）工作原理1. uGS对导电沟道的影响：栅源级间加...

发布时间：2016-12-30 | 评论：0 | 浏览：105 | 作者：admin

电子元器件 场效应管与双极型晶体管的区别: 场效应管与双极型晶体管相比：（１）场效应管中，导电过程是多数载流子的漂移运动，故称为单极型晶体管；双极型晶体管中既有多子的扩散运动又有少子的漂移运动。（２）场效应管是通过栅极电压uGS来控制漏极电流iD，称为电压控制器件...

发布时间：2016-12-30 | 评论：0 | 浏览：89 | 作者：admin

电子元器件 光电耦合器工作原理图解: 光电偶合器件（简称光耦）是把发光器件（如发光二极体）和光敏器件（如光敏三极管）组装在一起，通过光线实现耦合构成电―光和光―电的转换器件。光电耦合器分为很多种类，图1所示为常用的三极管型光电耦合器原理图。当电信号送...

发布时间：2016-12-30 | 评论：0 | 浏览：140 | 作者：admin

电子元器件 集成电路的主要电气指标: 图1给出了不同工艺集成电路的VOL、VOH、VIL和VIH，并给出了一个参数Vth,称为阀值电平。图1 集成电路的电气参数当输入电压发生变化时,必须延迟一段时间,输出电压才会发生相应的变化。这仪延迟时间由平均延迟...

发布时间：2016-12-30 | 评论：0 | 浏览：101 | 作者：admin

电子元器件 发光二极管: 发光二极管（LED）通常用元素周期表中Ⅲ、Ⅴ族元素的化合物，如砷化镓、磷化镓等所制成的。当这种管子通以电流时将发出光来，这是由于电子与空穴直接复合而放出能量的结果。它的光谱范围比较窄，其波长由所使用的基本材料...

发布时间：2016-12-30 | 评论：0 | 浏览：87 | 作者：admin

电子元器件 激光二极管的结构图解: 激光二极管的结构图如图(a)所示。激光二极管的物理结构是在发光二极管的结间安置一层具有光活性的半导体，其端面经过抛光后具有部分反射功能，因而形成一光谐振腔。在正向偏置的情况下，LED结发射出光来并与光谐振腔...

发布时间：2016-12-30 | 评论：0 | 浏览：115 | 作者：admin

电子元器件 半导体元器件分类: 晶体二极管晶体二极管的基本结构是由一块 P型半导体和一块N型半导体结合在一起形成一个 PN结。在PN结的交界面处，由于P型半导体中的空穴和N型半导体中的电子要相互向对方扩散而形成一个具有空间电荷的偶极层。这偶...

发布时间：2016-12-30 | 评论：0 | 浏览：89 | 作者：admin

电子元器件 中国半导体元器件型号命名方法: 半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管第二部分：...

发布时间：2016-12-30 | 评论：0 | 浏览：102 | 作者：admin

电子元器件 半导体二极管的结构类型: 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。它们的结构示意图如图1（a）、（b）、（c）所示。 (1) 点接触型二极管――PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。...

发布时间：2016-12-30 | 评论：0 | 浏览：102 | 作者：admin

电子元器件 半导体二极管的结构类型: 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。它们的结构示意图如图1（a）、（b）、（c）所示。 (1) 点接触型二极管――PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。...

发布时间：2016-12-30 | 评论：0 | 浏览：116 | 作者：admin

电子元器件 中国半导体元器件型号命名方法: 半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管第二部分：...

发布时间：2016-12-30 | 评论：0 | 浏览：111 | 作者：admin

电子元器件 半导体二极管的结构类型: 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。它们的结构示意图如图1（a）、（b）、（c）所示。 (1) 点接触型二极管――PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。...

发布时间：2016-12-30 | 评论：0 | 浏览：99 | 作者：admin

电子元器件 半导体二极管的伏安特性曲线: 半导体二极管的伏安特性曲线如图1所示。处于第一象限的是正向伏安特性曲线，处于第三象限的是反向伏安特性曲线。图1 二极管的伏安特性曲线...

发布时间：2016-12-30 | 评论：0 | 浏览：126 | 作者：admin

电子元器件 半导体二极管的参数: 半导体二极管的参数包括最大整流电流IF、反向击穿电压VBR、最大反向工作电压VRM、反向电流IR等。几个主要的参数介绍如下： (1) 最大整流电流IF――二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大整流电流的平均...

发布时间：2016-12-30 | 评论：0 | 浏览：127 | 作者：admin

电子元器件 半导体二极管的型号: 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 2 A P 9 用数字代表同类型器件的不同型号.用字母代表器件的类型，P代表普通管.用字母代表器件的材料，A代表N型Ge. B代表P型Ge，C代表N型Si，D代表N型Si2代表二极管，3代表三极管....

发布时间：2016-12-30 | 评论：0 | 浏览：106 | 作者：admin

电子元器件 稳压二极管伏安特性曲线的反向区、符号和典型应用电路: 稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊硅二极管。稳压二极管的伏安特性曲线与硅二极管的伏安特性曲线完全一样，稳压二极管伏安特性曲线的反向区、符号和典型应用电路如图1所示。 (a) 符号 (b) 伏安特...

发布时间：2016-12-30 | 评论：0 | 浏览：119 | 作者：admin

电子元器件 半导体三极管的结构: 双极型半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型：NPN型和PNP型。中间部分称为基区，相连电极称为基极，用B或b表示（Base）；一侧称为发射区，相连电极称为发射极，用E或e表示（Emitter）；另一侧称为集电区和集电...

发布时间：2016-12-30 | 评论：0 | 浏览：114 | 作者：admin

电子元器件 半导体三极管的电流分配与控制: 双极型半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。若在放大工作状态：发射结加正向电压，集电结加反向电压。现以 NPN型三极管的放大状态为例，来说明三极管内部的电流关系，见图。图双极型三极管的电流...

发布时间：2016-12-30 | 评论：0 | 浏览：89 | 作者：admin

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