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电子元器件 三极管输出特性曲线: 输出特性曲线是指当基极电流 IB 为常数时，输出电路(集电极电路)中集电极电流 IC 与集―射极电压 UCE 之间的关系曲线 IC = f (UCE)。在不同的 IB下，可得出不同的曲线，所以晶体管的输出特性曲线是一组曲线。晶体管...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：803 | 作者：admin

电子元器件 三极管的基本结构和特点: 放大原理：把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化。三极管放大的外部条件：发射结正偏、集电结反偏...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：431 | 作者：admin

电子元器件 晶体三极管的三种工作状态: 晶体三极管的三种工作状态如下图所示三种组态双极型三极管有三个电极，其中两个可以作为输入, 两个可以作为输出，这样必然有一个电极是公共电极。三种接法也称三种组态，见下图共发射极接法，发射极作为...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：483 | 作者：admin

电子元器件 晶体三极管的主要参数: 1.电流放大系数当晶体管接成共发射极电路时，在静态(无输入信号)时集电极电流与基极电流的比值称为静态电流(直流)放大系数晶体管工作在动态(有输入信号)时，基极电流的变化量为△IB ，它引起集电极电流...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：192 | 作者：admin

电子元器件 功率二极管的伏安特性: 二极管具有单向导电能力，二极管正向导电时必须克服一定的门坎电压Uth(又称死区电压)，当外加电压小于门坎电压时，正向电流几乎为零。硅二极管的门坎电压约为0.5V，当外加电压大于Uth后，电流会迅速上升。当外加反向电...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：102 | 作者：admin

电子元器件 晶闸管的基本特性: 1、静态特性（1）正向特性 IG=0时，器件两端施加正向电压，只有很小的正向漏电流，为正向阻断状态。正向电压超过正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通。随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。晶闸管本...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：132 | 作者：admin

电子元器件 功率二极管的基本特性: 关断过程：须经过一段短暂的时间才能重新获得反向阻断能力，进入截止状态。关断之前有较大的反向电流出现，并伴随有明显的反向电压过冲。开通过程：正向压降先出现一个过冲UFP，经过一段时间才趋于接近稳态压降的某...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：109 | 作者：admin

电子元器件 可关断晶闸管的工作原理: 与普通晶闸管的相同点：PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极。和普通晶闸管的不同点：GTO是一种多元的功率集成器件。可关断晶闸管的工作原理由于GTO处于临界饱和状态，用抽走阳极电流的方法...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：151 | 作者：admin

电子元器件 晶闸管的门极驱动电路和缓冲电路: 1、晶闸管对触发电路的基本要求 ①触发信号可以是交流、直流或脉冲，为了减小门极的损耗，触发信号常采用脉冲形式。 ②触发脉冲应有足够的功率。触发电压和触发电流应大于晶闸管的门极触发电压和门极触发...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：126 | 作者：admin

电子元器件 可关断晶闸管主要参数: GTO有许多参数与晶闸管相同，这里只介绍一些与晶闸管不同的参数。 (1) 最大可关断阳极电流IATO 电流过大时α1+α2稍大于1的条件可能被破坏，使器件饱和程度加深，导致门极关断失败。 (2) 关断增益off G...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：108 | 作者：admin

电子元器件 电力晶体管工作原理: 电力晶体管GTR （Giant Transistor）直译为巨型晶体管）耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor――BJT），英文有时候也称为Power BJT，在电力电子技术的范围内，GTR与BJT这两个名称等效。与普通...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：142 | 作者：admin

电子元器件 可关断晶闸管主要参数: GTO有许多参数与晶闸管相同，这里只介绍一些与晶闸管不同的参数。 (1) 最大可关断阳极电流IATO 电流过大时α1+α2稍大于1的条件可能被破坏，使器件饱和程度加深，导致门极关断失败。 (2) 关断增益off G...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：140 | 作者：admin

电子元器件 电力晶体管的二次击穿及产生二次击穿的原因: 电力晶体管的二次击穿 (1) PN结的反向击穿 PN结的反向击穿，可分为三种类型：热电击穿、隧道击穿和雪崩击穿。 ① 热电击穿当外加反向电压升高时，较大的反向电流引起热损耗，导致器件的结温升高，促使本...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：124 | 作者：admin

电子元器件 电力晶体管GTR的开关特性: 晶体管有线性和开关两种工作方式。当只需要导通和关断作用时采用开关工作方式。GTR主要应用于开关工作方。 ① 开关响应特性开关工作方式下，用一定的正向基极电流IB1去驱动GTR导通，而用另一反向基极电流...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：108 | 作者：admin

电子元器件 电力晶体管的驱动电路和缓冲电路: GTR的驱动电路的重要性驱动电路性能不好，轻则使GTR不能正常工作，重则导致GTR损坏。其特性是决定电流上升率和动态饱和压降大小的重要因素之一。增加基极驱动电流使电流上升率增大，使GTR饱和压降降低，从而减小...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：121 | 作者：admin

电子元器件 功率MOSFET的转移特性: 转移特性表示功率MOSFET的输入栅源电压UGS与输出漏极电流ID之间的关系。转移特性表示功率MOSFET的放大能力，与GTR中的电流增益相仿，由于功率MOSFET是电压控制器件，因此用跨导这一参数来表示。跨导定义:...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：151 | 作者：admin

电子元器件 功率MOSFET的开关特性: 因为MOSFET存在输入电容Ci， Ci有充电过程，栅极电压UGS呈指数曲线上升,当UGS上升到开启电压UT时，开始出现漏极电流iD，从脉冲电压的前沿到iD出现，这段时间称为开通延迟时间td。随着UGS增加，iD上升，从有iD到iD达到稳...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：88 | 作者：admin

电子元器件 功率MOSFET的开关特性: 当脉冲电压下降到零时，栅极输入电容Ci通过信号源内阻RS和栅极电阻RG开始放电，栅极电压UGS按指数曲线下降，当下降到UGSP时，漏极电流才开始减小，这段时间称为关断延迟时间ts。之后，Ci 继续放电，从iD减小，到UGS＜UT沟道关...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：119 | 作者：admin

电子技术 放大电路中，直流量、交流量和瞬时总量的含义是什么？怎样表示？: 在放大电路工作时，总是交、直流电量共存。当有交流信号输入时，放大管各电极的电流、电压均为瞬时总量。但在进行直流分析时，应画出直流通路，此时各电流、电压均为直流量；在进行交流分析时，应暂时搁置直流量，画出交流通路...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：134 | 作者：admin

电子技术 典型的共射放大电路在进行静态分析时，何时可以采用简单估算？误差有多大？: 共射放大电路是三种组态放大电路之一，典型电路如图1所示。熟练掌握CE电路的特点和分析方法对于其它放大电路的分析是大有好处的。图 1 CE放大电路静态偏置利用电阻Rb1和Rb2对直流电源VCC分压再与射极电阻R...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：90 | 作者：admin

电子技术 对由不同类型场效应管构成的基本放大电路，在设置静态工作点时有何特殊要求？: 根据场效应管的类型及其特性，为设置合适的静态工作点，在输入回路和输出回路应分别加上合适的直流电源。表一中列出了各类FET对偏置电压的要求。在实际电路中，常采用自给偏压电路和分压式偏置电路。表一各类FET对偏...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：104 | 作者：admin

电子技术 在放大电路的分析方法中，图解分析法和微变等效电路法各有什么特点和应用场合？: （1）图解分析法的优点是直观形象，在说明放大过程的有关概念时特别有用；微变等效电路法即模型分析法，其优点是分析过程简单明了，使用方便，应用广泛。（2）图解分析法的缺点是作图麻烦，并且需要放大管的输出特性曲线，且无...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：164 | 作者：admin

电子技术 多级放大电路的级间耦合方式主要有哪些？各适用于什么场合？: 多级放大电路的级间耦合方式主要有阻容耦合、直接耦合、变压器耦合和光电耦合。阻容耦合方式的优点是电路简单，各级的静态工作点相互独立，设计调试方便。缺点是不能放大频率较低的信号和直流信号，即低频特性...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：104 | 作者：admin

电子技术 放大电路三种基本组态各适用于什么场合？: 学习放大电路的三种基本组态，不仅要掌握用微变等效电路分析法去推导它们的动态性能指标，还应掌握三种组态放大电路在动态性能上的差别及其原因。（1）相位关系：CE电路为反相放大；CB和CC电路为同相放大。场效应管...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：126 | 作者：admin

电子技术 如何正确判别各放大电路的基本组态？: 晶体管放大电路有共射、共集和共基三种接法，场效应管放大电路有共源、共漏和共栅三种接法，不同接法的放大电路具有不同的特点，也就具有不同的适用场合，因而判断放大电路属于哪种基本接法是判断其基本性能的基础。要正...

发布时间：2016-12-05 | 评论：0 | 浏览：113 | 作者：admin

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